日前，由浪潮牵头申报的国家863科技计划重大专项“新型非易失存储器设计共性关建技术研究”主题项目获得国家科技部正式批复，项目总投资1.4亿元, 其中国家专项经费支持6961万元，这是浪潮继承担“核高基”重大专项“面向安全适用计算机的高性能低功耗动态随机存储器(DRAM)芯片产品研发”项目后再次承担国家级重大研发专项。
当前，大容量非易失存储器已经成为支撑我国网络通信、高性能计算和消费电子等电子信息产业发展的核心技术，但是由于我国相关产业缺乏竞争力，非易失存储技术成为制约我国微电子产业全面平衡发展的主要瓶颈之一。“新型非易失存储器设计共性关建技术研究”项目将从存储芯片设计角度出发，在RRAM存储器的制造工艺一致性、高速接口电路、高可靠纠错电路、芯片设计和测试等核心技术上取得突破，研制出国际先进水平的高速、高密度、低功耗、高擦写次数和高可靠的新型RRAM非易失存储芯片，设计RRAM的独立式和嵌入式应用验证系统，实现RRAM在主流高端领域的示范应用，取得一批自主知识产权和前沿性成果，抢占下一代新型存储器技术的制高点。
